V databázi populárního benchmarku Geekbench 5 se objevil první výsledek základního modelu příští vlajkové řady Samsungu Galaxy S23. Telefon nese označení SM-S911U, což by měla být jeho americká verze, a testován byl podle všeho s příštím vlajkovým čipem Qualcommu Snapdragon 8 Gen 2.
Galaxy S23 v testu jednoho jádra získal 1524 bodů, ve vícejádrovém pak 4597 bodů. Pro srovnání: Galaxy S22 s čipem Snapdragon 8 Gen 1 dosáhl kolem 1200, resp. 3200 bodů, zatímco zařízení s aktuálním vlajkovým čipem Qualcommu Snapdragon 8+ Gen 1 získávají obvykle okolo 1300, resp. 4200 bodů.
Fotogalerie
Z testu také vyplývá, že Galaxy S23 bude disponovat 8 GB operační paměti (tedy stejně jako Galaxy S22), že softwarově jej bude nepřekvapivě pohánět Android 13 a že o grafické operace se bude starat čip Adreno 740 (čipy Snapdragon 8 Gen 1 a 8+ Gen 1 používají Adreno 730).
Mohlo by vás zajímat
Podle dosavadních úniků bude mít Galaxy S23 o něco vyšší kapacitu baterie než předchůdce a (stejně jako ostatní modely řady) prakticky stejné rozměry i stejnou velikost displeje. Řada bude podle všeho představena v lednu nebo únoru příštího roku.
