Minulý týden jsme vás informovali, že Samsung s řadou Fan Edition nadále počítá a že příští model, podle všeho s označením Galaxy S23 FE, bude podle neoficiálních informací uveden na scénu ve druhé polovině letošního roku. Nyní do éteru pronikla informace o tom, jaký čipset jej bude pohánět.
Podle uživatele vystupujícího na Twitteru pod jménem Connor bude Galaxy S23 FE používat čipset Snapdragon 8+ Gen 1. Tento čip byl představen loni v květnu a oproti Snapdragonu 8 Gen 1, jejž používala na některých trzích řada Galaxy S22, nabízí výrazně lepší energetickou efektivitu.
Snapdragon 8+ Gen 1 je vyráběn pomocí 4nm procesu společnosti TSMC. Jde o stejnou technologii, která se používá k výrobě aktuálního vlajkového čipsetu Qualcommu Snapdragon 8 Gen 2. Přechod od Samsungu k TSMC pomohl Qualcommu přinést do jeho čipů vylepšení jak energetické efektivity, tak výkonu. Pokud má Samsung skutečně v plánu Galaxy S23 FE představit, Snadpragon 8+ Gen 1 by pro něj mohl být ideálním čipem.
O příštím telefonu s přízviskem FE jinak v tuto chvíli není známo nic dalšího. S ohledem na dosud uvedené modely (tedy Galaxy S20 FE, S20 FE 5G a S21 FE) však můžeme očekávat AMOLED displej s úhlopříčkou kolem 6,5 palců a podporou 120Hz obnovovací frekvence, trojitý fotoaparát, alespoň 4500mAh baterii s 25W rychlým nabíjením, poddisplejovou čtečku otisků prstů, stereo reproduktory či stupeň krytí IP68.