Nedávno benchmark Geekbench odhalil, že příští „budgetovou vlajkovou loď“ Samsungu Galaxy S23 FE bude pohánět jeho aktuální vlajkový čipset Exynos 2200. Nyní se telefon v populárním benchmarku objevil znovu s čipsetem od Qualcommu.
V benchmarku Geekbench 6.1.0 se objevila americká verze Galaxy S23 FE (SM-F711U1). Odkryl, že bude používat necelé dva roky starý čipset Qualcommu Snapdragon 8 Gen 1, předchůdce jeho aktuálního vlajkového čipu Snapdragon 8 Gen 2.
Fotogalerie
Telefon jinak v testu jednoho jádra získal 1613 bodů a ve vícejádrovém 4049 bodů, což je velmi slušný výsledek (u verze s čipem Exynos 2200 benchmark odhalil jen OpenCL skóre, které činilo 8986 bodů).
Mohlo by vás zajímat
Podle dostupných úniků bude Galaxy S23 FE vybaven AMOLED displejem s velikostí 6,4 palců, obnovovací frekvencí 120 Hz, 8 GB operační a 128 nebo 256 GB vnitřní paměti, 50MPx hlavním fotoaparátem a baterií s kapacitou 4500 mAh a podporou 25W „rychlého“ nabíjení. Představen bude údajně v srpnu nebo září.
Takže jsme zpět u zvyhodňování USA trhu, kde má Samsung opravdovou konkurenci a zbytek světa včetně Evropy, která za telefony platí oproti USA prémiové ceny zase ostrouhá. Smutné… Letošní S23 řada byla po letech opravdu vlajkovou řadou, což potvrzují i prodeje, ale jestli se Samsung hodlá vrátit do starých kolejí s jejich dvojí politikou, tak pro ně příští rok asi nebude moc růžový.