Samsung údajně obrací pozornost k formujícímu se trhu s paměťmi typu MRAM (Magneto-resistive Random Access Memory; magnetorezistivní paměť) s cílem rozšířit využití této technologie do dalších sektorů. Technologický obr podle jihokorejských médií doufá, že jeho paměti MRAM si najdou cestu i do jiných oblastí než internet věcí a AI, jako je například automobilový průmysl, grafické paměti, ale i nositelná elektronika.
Samsung na pamětech MRAM pracuje již několik let a své první komerční řešení v této oblasti začal masově vyrábět v polovině roku 2019. Vyráběl je pomocí 28nm FD-SOI procesu. Řešení mělo omezenou kapacitu, což je jedna z nevýhod této technologie, údajně však bylo aplikováno na zařízení IoT, čipy s umělou inteligencí i mikrořadiče vyráběné společností NXP. Shodou okolností by se tato nizozemská firma mohla brzy stát součástí Samsungu, pokud technologický gigant pokročí s další vlnou akvizic a fúzí.
Analytici odhadují, že globální trh s paměťmi MRAM bude mít do roku 2024 hodnotu 1,2 miliardy dolarů (zhruba 25,8 mld. korun).
Jak se paměti tohoto typu liší od pamětí DRAM? Zatímco paměti DRAM (stejně jako paměti flash) ukládají data jako elektrický náboj, MRAM je nevolatilní řešení, které k ukládání dat používá prvky magnetického úložiště, jež se skládají ze dvou feromagnetických vrstev a tenké bariéry. V praxi je tato paměť neuvěřitelně rychlá a umí být až 1000x rychlejší než eFlash. Zčásti je to díky tomu, že nemusí provádět mazací cykly, než začne zapisovat nová data. Kromě toho vyžaduje méně energie než běžná paměťová média.
Naopak největší nevýhodou tohoto řešení je již zmíněná malá kapacita, což je jeden z důvodů, proč zatím neproniklo do mainstreamu. To se ovšem s novým přístupem Samsungu může již brzy změnit.
Mohlo by vás zajímat
