Samsung údajně plánuje u svého nadcházejícího vlajkového čipsetu Exynos 2700 zásadní změnu v konstrukčním uspořádání. Společnost by mohla opustit dosavadní vrstvený design ve prospěch nové architektury „side-by-side“ (SBS), která má vyřešit problémy s přehříváním a pomalým přenosem dat.
Současný Exynos 2600 využívá technologii Heat Path Block (HPB) pro správu tepla. U tohoto čipu je však RAM umístěna přímo na procesoru (SoC) a chladič HPB je až na paměti. To může vést k zachytávání tepla mezi jednotlivými vrstvami. Exynos 2700 by měl toto omezení odstranit tím, že umístí RAM a procesor vedle sebe. Chladič bude následně umístěn nad oběma komponentami současně, což umožní efektivnější odvod tepla od zdroje.
Fotogalerie
Výrazné zvýšení paměťové propustnosti
Kromě lepšího chlazení přinese SBS uspořádání také výhody pro výkon paměti. Díky zkrácení fyzické vzdálenosti mezi RAM a procesorem Samsung cílí na:
- Zvýšení paměťové propustnosti o 30 % až 40 %.
- Rychlejší spouštění aplikací.
- Plynulejší multitasking a lepší herní zážitky.
Podle aktuálních informací se očekává, že Exynos 2700 bude využívat 2nm výrobní proces (SF2P) druhé generace z dílny Samsungu (první 2nm mobilní čip od společnosti Samsung je Exynos 2600). Zároveň nabídne architekturu tranzistorů GAA (Gate-All-Around). Výroba čipsetu by měla být zahájena v druhé polovině roku 2026, přičemž oficiální odhalení se očekává koncem tohoto roku. Procesor se pravděpodobně objeví ve vybraných modelech řady Galaxy S27 na začátku roku 2027.
