Zavřít reklamu

Polovodičová divize Samsung Foundry oznámila, že ve své továrně ve Hwasongu zahájila výrobu 3nm čipů. Na rozdíl od předchozí generace, která používala technologii FinFet, nyní korejský gigant používá tranzistorovou architekturu GAA (Gate-All-Around), která významně zvyšuje energetickou efektivitu.

3nm čipy s architekturou MBCFET (Multi-Bridge-Channel) GAA získají vyšší energetickou účinnost mimo jiné snížením napájecího napětí. Samsung také používá nanoplátové tranzistory v polovodičových čipech pro vysoce výkonné smartphonové čipsety.

Oproti technologii nanodrátů umožňují nanopláty s širšími kanály vyšší výkon a lepší efektivitu. Úpravou šířky nanoplátů mohou klienti Samsungu přizpůsobit výkon a spotřebu energie svým potřebám.

Ve srovnání s 5nm čipy mají ty nové podle Samsungu o 23 % vyšší výkon, o 45 % nižší spotřebu energie a o 16 % menší plochu. Jejich 2. generace má poté nabídnout o 30 % lepší výkon, o 50 % vyšší efektivitu a o 35 % menší plochu.

„Samsung rychle roste, protože nadále prokazujeme vedoucí postavení v aplikaci technologií nové generace ve výrobě. Snažíme se v tomto vedení pokračovat s prvním 3nm procesem s architekturou MBCFETTM. Budeme pokračovat v aktivních inovacích v konkurenčním technologickém vývoji a vytvářet procesy, které pomáhají urychlit dosažení vyspělosti technologie,“ uvedl šéf polovodičového byznysu Samsungu Siyoung Choi.

Témata: , ,

Související články

Dnes nejčtenější

.