Včera jsme informovali, že Samsung podle všeho pracuje na verzi telefonu Galaxy S20 FE 4G poháněné čipem Snapdragon 865. Nyní to bylo potvrzeno – smartphone se objevil v benchmarku Geekbench.
Podle databáze Geekbenche používá Galaxy S20 FE 4G (SM-G780G) Snapdragon 865 (kódový název kona) s grafickým čipem Adreno 650. Čipset doplňuje 6 GB operační paměti a telefon je softwarově postaven na Androidu 11 (pravděpodobně jej doplní uživatelská nadstavba One UI 3.0). V testu jednoho jádra získal 893 bodů a ve vícejádrovém 3094 bodů.
Fotogalerie
Nová verze by se kromě použitého čipu neměla od exynosové varianty Galaxy S20 FE 4G (konkrétně ji pohání Exynos 990) nijak lišit. Bude tedy podle všeho mít Super AMOLED displej typu Infinity-O s rozlišením FHD+ a 120Hz obnovovací frekvencí, 6 nebo 8 GB operační a 128 či 256 GB interní paměti, trojitý fotoaparát s rozlišením 12, 12 a 8 MPx, 32MPx přední kamerku, poddisplejovou čtečku otisků prstů, stereo reproduktory, stupeň krytí IP68 a baterii s kapacitou 4500 mAh a podporou 25W rychlého nabíjení.
V tuto chvíli není známo, kdy bude telefon uveden na scénu, pravděpodobně se tak však stane předtím, než bude představen Galaxy S21 FE. Ten bude podle posledních neoficiálních zpráv odhalen 19. srpna.
Mohlo by vás zajímat
