Samsung se již nějakou dobu snaží dohnat svého úhlavního rivala na poli výroby polovodičů, tchajwanského giganta TSMC. Loni jeho polovodičová divize Samsung Foundry oznámila, že v polovině letošního roku začne s výrobou 3nm čipů a v roce 2025 s výrobou 2nm čipů. Nyní produkční plán pro své 3 a 2nm čipy oznámilo i TSMC.
TSMC odhalilo, že začne s velkoobjemovou produkcí svých prvních 3nm čipů (pomocí technologie N3) v druhé polovině letošního roku. Čipy postavené na novém 3nm procesu mají být uvedeny na trh začátkem příštího roku. Výrobu 2nm čipů plánuje polovodičový kolos zahájit v roce 2025. TSMC navíc u svých 2nm čipů bude používat technologii GAA FET (Gate-All-Around Field-Effect Transistor). Tu bude Samsung používat také, a to již u svých 3nm čipů, které začne vyrábět ještě letos. Tato technologie má přinést významné zlepšení energetické efektivity.
Pokročilé výrobní procesy TSMC by mohly v nadcházejících letech využívat velcí technologičtí hráči, jako je Apple, AMD, Nvidia nebo MediaTek. Někteří z nich by nicméně pro některé své čipy mohli využít i slévárny Samsungu.