Zavřít reklamu

S představením každého smartphonu jde ruku v ruce i dlouhá řada různých prověrek a certifikací, které musí jeho výrobce před zahájením prodejů u příslušných úřadů vyřídit. Díky těmto certifikačním procesům se však od času odtajní informace, které měly být ještě nějaký ten pátek široké veřejnosti zapovězeny. To je i případ Samsungu a jeho chystaného Galaxy S9.

Jihokorejský gigant si před pár dny certifikoval svůj chystaný model u jednoho čínského certifikačního úřadu, který svou zprávu následně zveřejnil v databázi. Díky tomuto kroku jsme se tak dozvěděli, že se u nové vlajkové lodi nedočkáme v případě rychlého nabíjení žádné novinky. Letošní S9 bude totiž disponovat technologií Quick Charge 2.0, kterou oplývala i loňská S8, tedy standardním nabíjením skrze 5V a rychlonabíjením skrze 9V.

Zaspal Samsung dobu?

Rychlé nabíjení ve verzi, kterou Samsung vnukl svým modelům minulý rok, však v žádném případě na škodu není. Telefon je díky němu nabit skutečně rychle, což se může v některých situacích opravdu hodit. Vzhledem k tomu, že však již někteří výrobci telefonů s Androidem přesedlali na rychlejší Quick Charge 3.0 či dokonce ultrarychlé Quick Charge 4+, které dokáže nabít telefon na 50 % během 20 minut, je použití verze Quick Charge 2.0 pro mnohé lehkým zklamáním.

Nechme se tedy překvapit, zda jsou dnešní informace o “pomalém” rychlonabíjení pravdivé či nikoliv. Pokud však Samsung po této verzi skutečně sáhl, mohlo by to pro něj znamenat ve výsledku pěkné nepříjemnosti. Již poměrně dlouho se totiž mluví o novém Galaxy S9 jakožto o přímém konkurentovi iPhonu X. Informace o telefonu z poslední doby však nezní úplně příznivě a z konkurenta iPhonu X dělají spíše lehce vylepšenou verzi loňského modelu. Nechme se však překvapit. Třeba to budou právě některé drobnosti typu perfektní zpomalené záběry či ostření fotoaparátu, kterým Samsung dokáže, že nový Galaxy S9 není rozhodně do počtu a s iPhonem X se může bez problému rovnat.

Sasmung Galaxy S8 vs Galaxy S9 concept FB

Zdroj: dealntech

Dnes nejčtenější

.