Praha 20. března 2015 – Společnost Samsung Electronics Co., Ltd., světový lídr v oblasti vyspělých paměťových technologií, představuje vysoce výkonné 128GB 3bit NAND úložiště pro mobilní zařízení, které je založené na technologii Embedded MultiMediaCard (eMMC) 5.0. Vlajkové lodě mezi smartphony již přecházejí na 128GB paměťová úložiště na standardech Universal Flash Storage (UFS) 2.0 nebo EMMC 5.1. Stejně tak i smartphony střední kategorie budou nyní moci zvýšit svou kapacitu na 128 GB díky novému úložišti Samsung 3bit NAND eMMC 5.0. Tento paměťový čip má největší kapacitu v rámci standardu eMMC 5.0.
„Očekáváme, že uvedením naší série 3bit eMMC 5.0 na bázi NAND, se dostaneme do vedení v expanzi vysokokapacitních mobilních úložišť. Pokračujeme v rozvoji naší nabídky mobilních pamětí s vylepšeným výkonem a vyšší kapacitou, která uspokojí rostoucí poptávku zákazníků napříč celým odvětvím mobilních telefonů,“ řekl Dr. Jung-Bae Lee, senior viceprezident týmu Memory Product Planning and Application Engineering ve společnosti Samsung Electronics.
Sekvenční čtení dat nového 128GB eMMC 5.0 úložiště od společnosti Samsung probíhá rychlostí 260 MB/s. Jedná se o stejný výkon jako v případě paměti MLC eMMC 5.1 na bázi NAND. Náhodný výkon čtení a zápisu je 6000 IOPS, resp. 5000 IOPS, což je dostačující rychlost pro podporu videí s vysokým rozlišením a pro pokročilé multitaskingové funkce. Ve srovnání s externími paměťovými kartami jsou tyto rychlosti čtení a zápisu přibližně 4krát a 10krát vyšší.
Nová série 3bit paměťových úložišť eMMC 5.0 rozšiřuje oblast podnikání společnosti Samsung z dodání SSD disků pro datová centra, servery a počítače až na celý trh mobilních paměťových úložišť. Samsung bude i nadále pokračovat v zavádění 3bitové NAND Flash pamětí prostřednictvím rozvoje výkonných a vysokokapacitních řešení, stejně jako bude nadále pokračovat v posilování konkurenceschopnosti svého podnikání v oblasti paměťových technologií.
//
//
