Zavřít reklamu

20nm-4Gb-DDR3-03Spoločnosť Samsung Electronics oznámila, že práve zahájila masovú výrobu nových 6Gb LPDDR3 RAM modulov pre mobilné zariadenia. Spoločnosť bude vyrábať nové operačné pamäte s pomocou 20-nm výrobného procesu, čo sa odrazí na nižšej energetickej spotrebe o 10% a náraste výkonu až o 30%. Každý jeden pin u týchto pamäťových modulov má prenosovú rýchlosť 2,133 Mb/s.

Čipy ako také sú potom menšie o 20% oproti predošlým modulom, pokiaľ berieme do úvahy sadu štyroch pamäťových modulov vedľa seba. Sada štyroch pamäťových modulov je tak schopná poskytnúť telefónu 3 GB RAM, keďže každý pamäťový modul poskytuje pamäť o veľkosti 768 MB. Tu je vidieť, že Samsung má v pláne zrejme ešte dlhší čas pobudnúť na high-end hranici 3 GB RAM a až niekedy koncom budúceho roku budeme môcť začať fantazírovať nad tým, že sa v našich mobiloch nachádza rovnako veľká operačná pamäť, aká sa nachádza v našich počítačoch.

// 20nm-4Gb-DDR3-01

//

*Zdroj: SammyHub

Témata: , , , ,

Dnes nejčtenější

.