HBM3E je nejnovější iterací paměťové technologie HBM (High Bandwidth Memory), která slibuje bleskovou rychlost pro výpočetně náročné úkoly, grafické procesory a akcelerátory umělé inteligence. Zatímco několik společností, jako je Micron nebo SK Hynix, se v současnosti snaží přijít s vlastními řešeními HBM3E, Samsung oznámil dosud nejvýkonnější řešení HBM v podobě 12vrstvé paměti HBM3E 12H.
Samsung tvrdí, že šířka pásma HBM3E 12H až 1280 GB/s a kapacita 36 GB umožní lépe spravovat zdroje a větší flexibilitu a zároveň sníží náklady na vlastnictví datových center. Nová paměť je zaměřena primárně na poskytovatele služeb umělé inteligence, zejména pak na ty, kteří chtějí zvýšit průměrnou rychlost trénování AI. Ve srovnání s řešením HBM3 8H je HBM3E 12H v této oblasti podle Samsungu o 34 % rychlejší. Kromě toho se nová paměť také chlubí vylepšenými tepelnými vlastnostmi, které pomáhají zlepšit chlazení.
Fotogalerie
I když je nejnovější paměťové řešení Samsungu primárně určeno pro datacentra, není vyloučeno, že je budou používat budoucí generace grafických karet od Nvidie. Nvidia totiž v loňském roce přidala korejského giganta na seznam dodavatelů pamětí s vysokou propustností.
Mohlo by vás zajímat
Samsung novou paměť zatím neuvedl na trh, jeho potenciální zákazníci však v současné době testují její vzorky. Sériová výroba má začít v první polovině letošního roku.
