Již nějakou dobu víme, že Samsung pracuje na telefonu Galaxy S26 Edge, nástupci supertenkého S25 Edge uvedeného na trh na jaře. Ten se nyní objevil v populárním benchmarku Geekbench, který potvrdil, že jej bude pohánět příští vlajkový Snapdragon.
Galaxy S26 Edge se pod modelovým číslem SM-S947U objevil v benchmarku Geekbench 6. Ten odhalil, že bude používat čipset Snapdragon 8 Elite 2, kterému bude sekundovat 12 GB operační paměti.
Fotogalerie
Snapdragon 8 Elite 2 by měl běžet (lépe řečeno jeho hlavní jádro) na frekvenci 4,74 GHz, v případě Galaxy S26 Edge je však taktován podstatně níže, a to na rovné 4 GHz. I tak telefon v testech dosáhl excelentního skóre – v testu jednoho jádra získal 3 393 bodů a ve vícejádrovém 11 515 bodů. Pro srovnání: Galaxy S25 Edge s čipsetem Snapdragon 8 Elite v testech obdržel 2 650 a 9 605 bodů.
Galaxy S26 Edge by měl jinak disponovat dvojitým fotoaparátem s rozlišením 200 a 50 MPx, až 512GB úložištěm a baterií s kapacitou 4200 mAh. Softwarově podle všeho poběží na Androidu 16 a nadstavbě One UI 8.5. Oproti S25 Edge má být ještě tenčí, konkrétně se spekuluje o tloušťce 5,5 mm (vs. 5,8 mm).
Mohlo by vás zajímat
Většina neoficiálních informací se shoduje na tom, že Galaxy S26 Edge v příští vlajkové řadě Samsungu nahradí „pluskový“ model. Řada S26 by se tak měla skládat z modelů Galaxy S26 (Pro), S26 Edge a S26 Ultra. Představena bude podle všeho v lednu nebo únoru příštího roku.
