Zavřít reklamu

Je prakticky jisté, že řadu Galaxy S25 bude na všech trzích pohánět čipset Snapdragon 8 Elite. Ten přináší zásadní vylepšení v oblasti výkonu, grafiky i umělé inteligence. Během testování telefonů s nejnovějším vlajkovým čipsetem Qualcommu se však objevil nepříjemný problém, kterým je přehřívání. Ten se však podle všeho týká pouze benchmarků.

Jak zjistil web Android Authority, při benchmarkovém testování Snapdragonu 8 Elite v různých špičkových telefonech, jako je Realme GT 7 Pro, Asus ROG Phone 9 a Honor Magic 7 Pro, se jeho teploty zvýšily natolik, že zařízení bylo nepříjemné držet v ruce. U Magic 7 Pro se čip během zátěžového testu 3D Mark Wild Life Extreme dokonce „rozžhavil“ nad 50 °C. Test 3D Marku s názvem Solar Bay, který testuje výkon ray tracingu, se pak tomuto telefonu nepodařilo ani dokončit – aplikace se kvůli přehřívání rovnou ukončila, což doprovodilo varovné vyskakovací okno.

Snapdragon 8 Elite však bude podle všeho dosahovat vysokých teplot pouze v benchmarcích, protože ty jsou navrženy na abnormální zatížení. Při běžném používání, což zahrnuje i hraní graficky náročných her, by se Snapdragon 8 Elite neměl zahřívat ani zdaleka tolik. Telefony řady Galaxy S25 by navíc měly disponovat lepším chladicím systémem, takže v jejich případě by pravděpodobnost přehřívání měla být ještě menší.

Řada Galaxy S25 bude uvedena na scénu již ve středu. Přímý přenos z prvního letošního Galaxy Unpacked začíná v 19h našeho času.

Dnes nejčtenější

.