Zavřít reklamu

Očekává se, že příští vlajková řada Samsungu Galaxy S25 bude používat 3nm čipsety. V závislosti na trhu zemi by některé modely mohly používat Exynos 2500, zatímco v ostatních by mohl tepat Snapdragon 8 Gen 4. Druhý zmíněný, který bude podle všeho představen v říjnu, by mohl pomoci nejvyššímu modelu řady, tedy S25 Ultra, porazit z hlediska výkonu iPhone 16 Pro Max.

Podle neoficiálních zpráv bude Galaxy S25 Ultra celosvětově používat čipset Snapdragon 8 Gen 4, zatímco Galaxy S25 a S25+ by mohly v závislosti na trhu používat Exynos 2500 nebo Snapdragon 8 Gen 4. Nyní byl druhý zmíněný čip poprvé spatřen v databázi populárního benchmarku Geekbench 6 a vypadá to, že by mohl pomoci příští nejvyšší „vlajce“ korejského obra výkonem překonat iPhone 16 Pro Max.

Neznámé zařízení s čipem Snapdragon 8 Gen 4 a 12 GB operační paměti získalo v testu jednoho jádra 2884 bodů a ve vícejádrovém 8840 bodů. To je přibližně stejná úroveň výkonu jako u iPhonu 15 Pro Max, který získal zhruba 2900, resp. 7237 bodů. Ve srovnání se Snapdragonem 8 Gen 3 jsou tyto výsledky o 35, resp. 30 % lepší.

Když jsou nové čipové sady testovány před jejich oznámením, obvykle na referenčních zařízeních neběží finální software, což vede k nižšímu výkonu. Lze tak očekávat, že Snapdragon 8 Gen 4 bude mít v prodejní verzi ještě vyšší procesorový výkon.

O iPhonu 16 Pro a 16 Pro Max se spekuluje, že je bude pohánět čipset, který oproti svému předchůdci procesorový výkon příliš nezlepšuje. Galaxy S25 Ultra vybavený Snapdragonem 8 Gen 4 má tedy solidní šanci se v procesorovém výkonu vyrovnat příštím nejvyšším modelům iPhonu, nebo je dokonce překonat.

Snapdragon 8 Gen 4 by měl disponovat dvěma vysoce výkonnými procesorovými jádry Oryon taktovanými na 4,09 GHz či vyšší frekvenci a šesti výkonnými jádry s taktem 2,78 GHz. O grafické operace se má starat grafický čip Adreno 830 podporující všechny moderní herní funkce. Čipset bude údajně vyráběn 3nm procesem N3E nebo N3P společnosti TSMC.

Špičkové Samsungy koupíte zde

Dnes nejčtenější

.