Samsung oficiálně představil 8GB LPDDR5 DRAM čip pro smartphony. Podle slov společnosti se jedná o první 8GB LPDDR5 čip vyrobený technologií označenou jako 10nm-class, což může být cokoliv mezi 10 až 19 nm. Předchůdce, tedy 8GB LPDDR4 čip se začal vyrábět už v roce 2014, a tak byla pouze otázka času, kdy jihokorejský gigant přijde s inovací.
Samsung uvádí, že LPDDR5 najdou uplatnění především v oblastech 5G, automotive a mobilních zařízeních využívajících umělou inteligenci. S přenosovou rychlostí 6 400 Mb/s je 8GB LPDDR5 DRAM čip 1,5krát rychlejší než mobilní DRAM čipy používané u současných vlajkových lodí. Galaxy S9 má čip LPDDR4X s datovou rychlostí 4 266 Mb/s. LPDDR5 dokáže odeslat za sekundu 51,2 GB dat, což je zhruba 14 videosouborů v HD rozlišení.
Samsung nabídne jak verze s plnou propustností při napětí 1,1 V, tak i slabší a úspornější 5 500Mb/s na 1,05 V. LPDDR5 nabídne ještě režim hlubokého spánku (Deep Sleep), který sníží spotřebu energie současných pamětí LPDDR4X DRAM přibližně na polovinu. Samsung tvrdí, že s novým čipem dokáže srazit spotřebu energie až o 30 %, a tím pádem se prodlouží výdrž baterií smartphonů.
Pravděpodobně se čip ještě u Galaxy Note9 neobjeví, nicméně v příštím roce ho už zřejmě dostane Galaxy S10.
