Zavřít reklamu

Samsung sice ještě nepředstavil ani Galaxy S9 a už se začíná spekulovat o Galaxy S10. Podle všeho by měla vlajková loď, kterou jihokorejský gigant představí příští rok, disponovat silnějším čipem než letošní Galaxy S9. Srdcem mezinárodní verze Galaxy S9 je Exynos 9810 a americké verze Snapdragon 845. Samsung musel setrvat u 10nm procesu, nicméně 7nm čipy by se měly objevit ve smartphonech už příští rok, tedy u Galaxy S10.

Qualcomm včera představil Snapdragon X24, což je nový LTE modem pro smartphony, který slibuje teoretickou rychlost stahování až 2 Gbps. Qualcomm tvrdí, že se jedná o první modem kategorie 20 LTE s podporou tak vysokých rychlostí. Snapdragon X24 se tak stane prvním modemem LTE, který byl postaven na architektuře 7 nm.

Qualcomm uvedl, že modem se dostane do komerčních zařízení někdy koncem letošního roku, tudíž nebude debutovat s čipem Snapdragon 845, kterým je osazena americká verze Galaxy S9. Snapdragon 845 má modem Snapdragon X20 LTE.

Qualcomm sice nepotvrdil, že nadcházející procesor, tedy Snapdragon 855, bude vyroben 7nm procesem. Pouze se o tom spekuluje, a to na základě LinkedIn profilu jednoho zaměstnance dodavatele.

Snapdragon 855, který by měl modem Snapdragon X24, by se tak stal prvním 7nm mobilním procesorem na světě. A Galaxy S10 by se stal prvním smartphonem, který by takovým procesorem disponoval.

qualcomm_samsung_FB
Galaxy X S10 FB

Zdroj: SamMobile

Dnes nejčtenější

.