Samsung dnešným dňom zahájil masovú výrobu svojich nových DDR3 DRAM modulov s pomocou 20-nanometrového výrobného procesu. Tieto nové moduly majú kapacitu 4Gb, teda 512MB. Dostupná pamäť jednotlivých modulov však nie je ich primárna vlastnosť. Pokrok totiž spočíva práve vo využívaní nového výrobného procesu, čoho výsledkom je až o 25% nižšia energetická spotreba v porovnaní so starším, 25-nanometrovým procesom.
Presun na 20-nm technológiu je zároveň posledný krok, ktorý delí spoločnosť od zahájenia výroby pamäťových modulov s použitím 10-nm procesu. Momentálne využívaná technológia pri nových moduloch je zároveň najpokročilejšou na trhu a je možné využiť ju nielen u počítačov, ale aj u mobilných zariadení. Pre počítače to znamená, že Samsung je odteraz schopný vytvoriť čipy s rovnakou veľkosťou, no s výrazne väčšou operačnou pamäťou. Samsung taktiež musel modifikovať svoju existujúcu technológiu, aby bol schopný zmenšiť čipy a zároveň zachovať súčasný spôsob výroby.
- Mohlo by vás zaujímať: Samsung vyvinul prvú 8Gb LPDDR4 mobilnú pamäť DRAM
